四氟化碳的用途與作用 :
四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常環境下是相對惰性的,在不通風的地方會引起窒息。在射頻等離子體環境中,氟自由基表現為典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高純度的四氟化碳能很好的控制加工過程,使尺寸和形狀得到更好的控制,這不同于其他的鹵烴遇到空氣或氧氣時不利于各種特殊的控制(如半導體各項異性控制)。
四氟化碳在900℃時,不與銅、鎳、鎢、鉬反應,僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產生有毒氟化物。以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中,緩緩通入高濃氟氣,并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。
吸入四氟化碳的后果與濃度有關,包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強,因此分離的可能性比較低。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。
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